微机电系统(MEMS)的尺寸、重量和功率不断缩小，可以替代商用的现成的传感器和系统，这使它们在各种重要的应用中具有吸引力，包括通信、生物医学、汽车、军事和航空航天环境。传统的硅（Si）MEMS传感器不适合在恶劣的环境中应用，因为硅电子器件在≈350℃时就会失效，硅的机械性能在500℃以上就会退化。然而，从工业到太空等不同领域都非常需要能够在恶劣环境中工作的传感器，有时甚至需要在极端温度、高辐射和/或腐蚀性气体中工作。因此，研究人员已经研究了一些材料，这些材料在本质上更能容忍这些极端情况。适应这些极端情况的材料。宽带隙材料，如III-氮化物、碳化硅 碳化硅（SiC）和类金刚石碳(DLC)已经成为硅以外的有前途的替代品，用于MEMS在恶劣环境下的操作。由于其卓越的电子、机械、热和化学特性，已经成为硅以外的有前途的替代品，可用于MEMS在恶劣环境中的操作。

  来自佛罗里达大学和美国国家航空航天喷气推进实验室的研究团队于近日在ADWANCED FUNCTIONAL MATERIALS期刊发表了一篇题为“AlScN-on-SiC Thin Film Micromachined Resonant Transducers Operating in High-Temperature Environment up to 600 °C”的研究文章（https://onlinelibrary.wiley.com/doi/10.1002/adfm.202202204），该文章主要研究并展示了AlScN/SiC薄膜微机械谐振传感器在600℃高温环境下的共振频率，研究团队采用超灵敏的光学干涉技术来实现这一种测量，因为没有任何金属电极，可以排除电极在高温下退化的影响。并且采用拉曼光谱来研究AlScN/3C-SiC薄膜微机械谐振传感器随温度变化的微观振动。AlScN/SiC薄膜微机械谐振传感器在不同温度下的器件级和原子级振动的研究，可以为进一步分析温度波动如何影响内材料提供启示。