在宽带蜂窝网络（5G）、物联网（IoT）、万物互联（IoE）、智能设备、数据到云和自动驾驶汽车等第五代技术标准的推动下，不断扩大的数字化正在迅速改变电子行业的面貌。异构集成变得至关重要，以较低的成本提供更高的性能和改进的功能。然而，器件尺寸的缩小不可避免地导致了电流密度的进一步增加，而这种电流密度必须由缩小的金属互连来承载。随着电流密度的增加，电迁移（EM）一直是互连的可靠性问题之一，如芯片级的金属线、再分布线（RDL）和封装级的微凸点/支柱。
    EM本质上是一个增强的质量传输过程，由于导电电子和扩散的金属原子之间的动量转移，导致空隙的形成和/或小丘的堆积，导致电子设备中的开路或短路。布莱克进行的早期研究表明，由于EM引起的故障时间与电流密度的平方成反比。虽然EM主要是由高电流密度引起的，但它不是唯一的驱动力在起作用。其他力量的综合平衡，如机械应力迁移、原子自我扩散和热迁移，决定了原子的扩散运动。

      最近复旦大学碳化硅功率器件工程技术研究中心樊嘉杰研究院团队和代尔夫特理工大学研究团队合作利用韩国NEXTRON公司微探针系统MPS-CHL（RT-450°C）搭建了精密的电迁移测量平台，对电迁移的相关理论特性进行了系统性的实验验证并取得重要成果。